Autore Topic: Le Ram ferroelettriche manderanno in pensione gli hard disk  (Letto 688 volte)

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Offline saian9

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Le Ram ferroelettriche manderanno in pensione gli hard disk
« il: Aprile 24, 2009, 11:36:18 am »
Le FeRam rimpiazzeranno dischi rigidi, Ram e memorie Flash e realizzeranno finalmente il sogno del "boot istantaneo".

Una ricerca condotta presso la Cornell University, negli Stati Uniti, e guidata da Darrel Schlom potrebbe un giorno non troppo lontano pensionare dischi rigidi, memorie Flash e Ram grazie a un'unica soluzione: le FeRAM.

FeRam sta per Ram ferroelettriche: si tratta di una tecnologia già usata per esempio all'interno delle smart-card per memorizzare dati anche in assenza di alimentazione elettrica, visto che il materiale ferroelettrico che le costituisce è in grado di mantenere la polarizzazione senza una sorgente di energia esterna.

Diversamente dalle Ram normali le FeRam sono dunque un tipo di memoria non volatile che, utilizzata nei Pc al posto di Ram e hard disk, farebbero sparire la necessità di ibernare o sospendere il computer.

Attualmente, la Ram "ricorda" lo stato del sistema quando questo è in esecuzione. Quando si avvia la procedura di ibernazione, questa situazione viene riversata sul disco, dal quale sarà letta alla riaccensione.

Nel caso della sospensione, invece, è la Ram stessa a conservare lo stato grazie all'energia fornita dalla batteria (per esempio nel caso di un portatile) o dalla rete elettrica.

Sostituendo Ram e dischi rigidi con le FeRam, la memoria potrebbe conservare indefinitamente lo stato del sistema anche senza alimentazione e non servirebbero tecniche particolari per avere un'accensione quasi istantanea.

Se le FeRam non vengono già usate su larga scala nei computer è perché - pur avendo tra i vantaggi un maggior numero di cicli di lettura/scrittura rispetto alle memorie Flash e un minor consumo energetico - soffrono di una bassa densità di immagazzinamento dei dati e di alti costi di produzione.

Grazie agli studi del team di Schlom, tuttavia, è stata progettata una nuova FeRam - depositando su uno strato di silicio del titanato di stronzio (materiale ferroelettrico già noto) - che permette di immagazzinare una maggiore quantità di informazioni in un dato spazio rispetto alle FeRam già esistenti e a costi relativamente contenuti.

Non dobbiamo tuttavia aspettarci di vedere sparire le attuali tecnologie di memorizzazione da un momento all'altro: le difficoltà tecniche da risolvere sono ancora parecchie ma, citando le parole di Schlom, "la possibilità è più vicina alla realizzazione".
 


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